SK 海力士 3D DRAM 開發可利用代工工藝

SK 海力士 9 日表示，下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上，副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向，包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。實現該技術需解決設計、發熱、微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近，超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱，3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界，需與先進封裝技術創新一起，建立新協作體系。高麗大學教授申昌煥表示，3D DRAM 打破儲存器與邏輯邊界，隨著器件微細化接近極限，轉向 3D 技術不可避免，並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯稱，儲存器市場已從直線道路轉變為變化的彎道，需靈活適應外部環境變化。

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