三星電子，檢討將麒麟 NRD-K 2線轉為代工生產

三星電子正在檢討將麒麟 NRD-K 2線轉為代工生產線的方案。目標產品為英偉達的 2 奈米 HBM 基底晶片。該生產線預計於 2028 年下半年啟用，並有可能以「Send-Fab」模式運行。NRD-K 是三星電子在麒麟校園建設的下一代半導體研究開發基地，總投資規模約為 20 兆韓元。此次檢討旨在根據 AI 半導體的代工需求，重新配置部分研究開發設施。HBM 基底晶片是將 DRAM 垂直堆疊，並與外部處理器進行數據交換的邏輯晶片，HBM4 之後代工工藝的角色愈加重要。三星電子計劃將 2 奈米工藝應用於定制 HBM 和 HBM5。在下一代 HBM 競爭中，基底晶片工藝和封裝技術的比重正在增加。NRD-K 2線的轉換仍處於中長期檢討階段，最終用途可能會根據市場狀況而有所變化。DRAM 生產能力將集中於平澤校園。

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