SK 海力士 1c DRAM 占比明年初超過 35%

SK 海力士正在加快提高 10 奈米級第六代（1c）DRAM 的生產占比。其 1c DRAM 占比由今年第一季約 10%升至第二季約 13%，第三季有望達約 24%，第四季約 34%；明年第一季或升至約 35%，首次超過 1b（約 33%）成為主力工藝。1b（10 奈米級第五代）DRAM 占比在今年第二季約 43%見頂後開始下降。第二季末，三星電子 1c 占比約 16%、美光約 19%，均高於 SK 海力士的約 13%。SK 海力士下半年加快轉換，第四季或按約 34%超過三星電子約 31%。SK 海力士在第二季業績電話會上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自第二季起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約 11.7Gbps；SK 海力士將 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。預計今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。

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