三星與ASML合作開發高 NA EUV光刻技術

三星電子將與ASML共同開發高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術，計畫自2028年起將高 NA EUV設備應用於DRAM生產，並擴展至1.4納米先進邏輯工藝。此次合作旨在將自20世紀80年代以來使用的6英寸光掩模版轉向12英寸版本，以推動行業標準轉變。高 NA EUV的數值孔徑比傳統EUV高66%，能夠形成更加精細的電路圖案，替換掩模版將提高晶圓廠生產效率並降低晶片製造成本。

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